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夹断区和MOS管的夹断是一回事吗？实际不是，因为当驱动电压小于MOS的导通门限时，MOS管是没有形成导电沟道的。而书中对MOS管的夹断也明确写出MOS管出现夹断现象时，管子工作在恒流区。为更好地区分这两种工作状态，在图2中，我把这一区域称为截止区。

为什么预夹断电压是VDS=VGS-Vth(即VGD=Vth)？因为Vth是MOS管的导通电压，这意味着在这个电压下，导电沟道刚刚形成。当漏极电压升高到VGD=Vth时，说明导电沟道靠漏极一端的电压降到了导通电压，所以MOS管漏极出现夹断。

夹断时，MOS管为什么由电流通过？阙值漏极电流为什么由VGS确定？当VDS大到一定程度，MOS管被完全夹断，这其实是反型层的载流子在电场作用下迅速流动的变现而非导电沟道消失。并且，VGS大小决定了反型层的厚度，即决定了载流子的多少。在这种情况下，VDS的越增加，导电沟道的夹断区越长，电阻越大，VDS主要用于克服导电沟道夹断导致的电阻的上升对电流的影响，而VGS的增加则可拓宽导电沟道，所以此时的阙值漏极电流由VGS确定。 mos管的三个极电压关系。贵州汽车级自恢复MOS管低价直销

例如有一款42寸液晶电视的背光高压板损坏，经过检查是内部的大功率MOS管损坏，因为无原型号的代换，就选用了一个，电压、电流、功率均不小于原来的MOS管替换，结果是背光管出现连续的闪烁（启动困难），后面还是换上原来一样型号的才解决问题。检测到MOS管损坏后，更换时其周边的灌流电路的元件也必须全部更换，因为该MOS管的损坏也可能是灌流电路元件的欠佳引起MOS管损坏。即便是MOS管本身原因损坏，在MOS管击穿的瞬间，灌流电路元件也受到伤害，也应该更换。就像我们有很多高明的维修师傅在修理A3开关电源时；只要发现开关管击穿，就也把前面的2SC3807激励管一起更换一样道理（尽管2SC3807管，用万用表测量是好的）。 车规MOS管现货多维度介绍MOS管，了解MOS管，看这个就够了！

PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。如图所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。

P沟道增强型场效应管原理：P沟道增强型MOS管9因在N型衬底中生成P型反型层而得名，其通过光刻、扩散的方法或其他手段，在N型衬底(基片)上制作出两个掺杂的P区，分别引出电极(源极S和漏极D)，同时在漏极与源极之间的SiO2绝缘层上制作金属栅极GQ。其结构和工作原理与N沟道MOS管类似;只是使用的栅-源和漏-源电压极性与N沟道MOS管相反。在正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必须与源极相连，而漏极对源极的电压VDS应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面附近形成导电沟道，栅极对源极的电压也应为负。 mos管三个工作状态条件。

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6.MOS管的开关条件N沟道—导通时Ug>Us,Ugs>Ugs(th)时导通P沟道—导通时Ug|Ugs(th)|

7.相关概念BJTBipolarJunctionTransistor双极性晶体管，BJT是电流控制器件；FETFieldEffectTransistor场效应晶体管，FET是电压控制器件.按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

8.MOS管重要参数①封装②类型（NMOS、PMOS）③耐压Vds（器件在断开状态下漏极和源极所能承受的阙值的电压）④饱和电流Id⑤导通阻抗Rds⑥栅极阈值电压Vgs(th) MOS管和晶体三极管相比的重要特性。贵州汽车级自恢复MOS管低价直销

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MOS管的开通过程关于MOS管的开通过程，网络上有许多文档进行分析，其来源应为一篇带感性负载的MOS管开通过程的分析，很多转发该文章的网文却常常忽略了这一点，把这个过程当做了所有场景下MOS的开通过程。因此，在分析之前，先说明本文分析的前提：阻性负载下，VDS固定时，加驱动电压VGS的情况下，MOS管的导通过程分析。

带阻性负载的MOS管电路在GS、GD、DS之间都有寄生电容，在DS之间还有一个寄生二极管。在t0时刻，MOS管栅极加一驱动电压VGS,其值为MOS管完全导通所需要的驱动电压VGS(sat)后续，若负载继续加重，使漏极电流继续上升，则MOS管的电流将会饱和，MOS管进入饱和区。 贵州汽车级自恢复MOS管低价直销